繪制根軌跡的依據(jù)是什么 正反饋與負反饋的判別方法

自動控制原理 根軌跡的繪制的繪制，自動控制原理根軌跡草圖繪制方法及步驟，給一個開環(huán)傳遞函數(shù)如何概略的繪制根軌跡？若已知的根軌跡中不含任何參數(shù)和變量，如何繪制根軌跡圖？正反饋和負反饋在繪制根軌跡時,規(guī)則有什么不同？？

本文導航

• 自動控制原理筆記總結(jié)
• 繪制自動往返控制電路圖
• 怎么求開環(huán)傳遞函數(shù)的穿越頻率
• 根軌跡方法的缺點
• 正反饋與負反饋的判別方法

自動控制原理筆記總結(jié)

漸進線主要是在根軌跡畫圖時表現(xiàn)出k的大體趨勢，就你這道題來說，算出根軌跡為180度，意味著根軌跡有一條沿實軸向負無窮延伸，那么實軸交點就沒什么意義了，反正根軌跡的那些畫法步驟也只是作出大體的圖形，從而判斷出系統(tǒng)的·穩(wěn)定性，不會問究竟交點有什么意義

繪制自動往返控制電路圖

根軌跡的繪制，主要依據(jù)是其8條性質(zhì)。鑒于是軌跡草圖，內(nèi)容相比較簡單。①根軌跡起于開環(huán)極點P1=…P2=…止于Z1=…Z2…和無窮遠處；②有n=（取決于階數(shù)）條根軌跡，且關于實軸對稱；③有n-m=…條漸近線，且與實軸的交點σ=(∑Pi-∑Zi)/(n-m)，交角φ=（2k+1）2π/(n-m)；④實軸上的根軌跡區(qū)間是（…，…）；⑤確定分離點，∑1/(d-Pi)=∑1/(d-Zi)，根據(jù)實軸上的根軌跡取舍d；⑥與虛軸的交點，令S=wj，代入特征式D(S)，令實部、虛部分別為0，解出對應的共軛虛根(如果存在)⑦根據(jù)以上內(nèi)容做畫?！?說明；Pi，Zi分別表示開環(huán)極點、零點，m，n 開環(huán)傳函一般分子階數(shù)小于分母階數(shù)，故其中的最小階數(shù)m一般表零點和最大階數(shù)n 表極點。此外，可以選擇性的添加出射角……

怎么求開環(huán)傳遞函數(shù)的穿越頻率

根軌跡是閉環(huán)的，不是開環(huán)的，根據(jù)開環(huán)傳函繪制閉環(huán)根的軌跡，顯然你沒看明白。

就是根據(jù)根軌跡的規(guī)則繪制的，哪看不明白可以問問，這地方不能講課啊

根軌跡方法的缺點

這種情況一般就是在分子上乘個開環(huán)增益K作為參數(shù)。不過乘之前要把各項化成as+1的形式，這里的s+3要化一下，上下同時除以3。其實根據(jù)真正的開環(huán)增益定義，直接乘上的K不是開環(huán)增益，真正的開環(huán)增益應該是10K/3。不過對于畫根軌跡沒什么影響，因為K從0到無窮和10K/3從0到無窮時一樣的。你也可以自動無視那個10/3，把10/3去掉，直接乘K。不過你在說明穩(wěn)定性的時候，要搞清楚你K的含義，是真正的開環(huán)增益，又或者是3/10倍的開環(huán)增益。

正反饋與負反饋的判別方法

沒有告訴你反饋極性，當然兩種情況都要考慮在內(nèi)啦。一般的題目是這么問的：求使系統(tǒng)穩(wěn)定的參數(shù)的范圍！兩種情況都畫，最后取交集。正反饋對應0度根軌跡，負反饋對應180度根軌跡。產(chǎn)生0度根軌跡主要是因為非最小相位環(huán)節(jié)最高次系數(shù)為負，或者有正反饋。因而，區(qū)分0度和180度根軌跡并不能以最小或者非最小相位系統(tǒng)作為依據(jù)，希望我講清楚了，也希望你聽懂了。