五點(diǎn)高斯公式是什么 點(diǎn)線對(duì)稱萬能公式
誰能告訴我高斯公式是什么?謝謝各位?三點(diǎn)和五點(diǎn)高斯勒讓德公式,高斯定理數(shù)學(xué)公式是什么?高斯定律的公式,高斯公式是什么呢?高斯定理數(shù)學(xué)公式是什么?
本文導(dǎo)航
高斯公式說明
高斯定理(Gauss Law)也稱為高斯公式(Gauss Formula),或稱作散度定理、高斯散度定理、高斯-奧斯特羅格拉德斯基公式、奧氏定理或高-奧公式(通常情況的高斯定理都是指該定理,也有其它同名定理)。
設(shè)空間有界閉合區(qū)域Ω,其邊界?Ω為分片光滑閉曲面。函數(shù)P(x,y,z)、Q(x,y,z)、R(x,y,z)及其一階偏導(dǎo)數(shù)在Ω上連續(xù),那么[1]:
圖一(高數(shù)上的高斯公式)
圖一(高數(shù)上的高斯公式)
(由于百科不支持很多格式及字符,故本詞條使用一些截圖,本公式請(qǐng)見右側(cè)圖一)
(如圖一)其中?Ω的正側(cè)為外側(cè),cos α、cos β、cos γ為?Ω的外法向量的方向余弦。
高斯投影
高斯投影
稱向量場(chǎng)的散度(divergence)。[1]
即矢量穿過任意閉合曲面的通量等于矢量的散度對(duì)閉合面所包圍的體積的積分。它給出了閉曲面積分和相應(yīng)體積分的積分變換關(guān)系,是矢量分析中的重要恒等式,也是研究場(chǎng)的重要公式之一。
2其它高斯定理
高斯定理2
定理:凡有理整方程至少有一個(gè)根。
推論:一元n次方程
有且只有n個(gè)根(包括虛根和重根)。
高斯定理3
正整數(shù)n可被表示為兩整數(shù)平方和的充要條件為n的一切形如4k+3形狀的質(zhì)因子的冪次均為偶數(shù)。
3物理定義與應(yīng)用
點(diǎn)線對(duì)稱萬能公式
首先先看五點(diǎn)高斯-勒讓德公式,其求積系數(shù)和求積節(jié)點(diǎn)可以在數(shù)值積分的教材上查到,matlab代碼如下:
function I=Gauss_Legendre_5(fun,a,b)
w=[0.2369269,0.2369269,0.4786287,0.4786287,0.5688889];
x1=[-0.9061798,0.9061798,-0.5384693,0.5384693,0];
x=(b+a)/2+(b-a)/2.x1;
y=eval(fun)
I=(b-a)/2sum(w.*y)
下面是高斯三點(diǎn)公式求積,代碼如下:
program main
use, intrinsic :: iso_fortran_env, only: dp => real64
implicit none real(dp) :: x(3), w(3)
call gauss_integ3(x, w)
print *, "x^2在[-1, 1]區(qū)間的積分:", sum(x**2*w)
call gauss_integ3(x, w, [real(dp) :: 0, 1])
print *, "x 在[ 0, 1]區(qū)間的積分:", sum(x*w)
call gauss_integ3(x, w, [real(dp) :: 0, 1])
print *, "sin(x)/x在[0, 1]區(qū)間的積分:", sum(sin(x)/x*w)
contains
什么是高斯公式
∮F·dS=∫(▽·F)dV。
高斯定理數(shù)學(xué)公式是:∮F·dS=∫(▽·F)dV。高斯定律表明在閉合曲面內(nèi)的電荷分布與產(chǎn)生的電場(chǎng)之間的關(guān)系。高斯定理也稱為高斯通量理論,或稱作散度定理、高斯散度定理、高斯-奧斯特羅格拉德斯基公式、奧氏定理或高-奧公式通常情況的高斯定理都是指該定理,也有其它同名定理。
高斯定理介紹
高斯定理指出:穿過一封閉曲面的電通量與封閉曲面所包圍的電荷量成正比。換一種說法:電場(chǎng)強(qiáng)度在一封閉曲面上的面積分與封閉曲面所包圍的電荷量成正比。
它表示,電場(chǎng)強(qiáng)度對(duì)任意封閉曲面的通量只取決于該封閉曲面內(nèi)電荷的代數(shù)和,與曲面內(nèi)電荷的位置分布情況無關(guān),與封閉曲面外的電荷亦無關(guān)。在真空的情況下,Σq是包圍在封閉曲面內(nèi)的自由電荷的代數(shù)和。當(dāng)存在介質(zhì)時(shí),Σq應(yīng)理解為包圍在封閉曲面內(nèi)的自由電荷和極化電荷的總和。
高斯定理的推導(dǎo)公式怎么算
高斯定律的公式是:∮F·dS=∫(▽·F)dV。高斯定律表明在閉合曲面內(nèi)的電荷分布與產(chǎn)生的電場(chǎng)之間的關(guān)系。設(shè)空間有界閉合區(qū)域Ω,其邊界?Ω為分片光滑閉曲面。
該定律表明在閉合曲面內(nèi)的電荷分布與產(chǎn)生的電場(chǎng)之間的關(guān)系。靜電場(chǎng)中通過任意閉合曲面(稱高斯面)S的電通量等于該閉合面內(nèi)全部電荷的代數(shù)和除以真空中的電容率,與面外的電荷無關(guān)。
高斯所有數(shù)學(xué)公式
高斯公式是:∮F·dS=∫(▽·F)dV。高斯定律表明在閉合曲面內(nèi)的電荷分布與產(chǎn)生的電場(chǎng)之間的關(guān)系。
設(shè)空間有界閉合區(qū)域Ω,其邊界?Ω為分片光滑閉曲面。函數(shù)P(x,y,z),Q(x,y,z).R(x,y,z)及其一階偏導(dǎo)數(shù)在Ω上連續(xù),那么
或記作:
其中?Ω的正側(cè)為外側(cè),cosα,cosβ,cosγ為?Ω的外法向量的方向余弦。
即矢量穿過任意閉合曲面的通量等于矢量的散度對(duì)閉合面所包圍的體積的積分。它給出了閉曲面積分和相應(yīng)體積分的積分變換關(guān)系,是矢量分析中的重要恒等式,也是研究場(chǎng)的重要公式之一。
高斯公式說明了什么關(guān)系
高斯定理數(shù)學(xué)公式是∮F·dS=∫(▽·F)dV。高斯定律顯示了封閉表面的電荷分布和產(chǎn)生的電場(chǎng)之間的關(guān)系。設(shè)空是有界閉區(qū)域ω,其邊界ω是分段光滑閉曲面。函數(shù)P(x,y,z),Q(x,y,z)。R(x,y,z)及其一階偏導(dǎo)數(shù)在ω上是連續(xù)的,其中ω的正側(cè)是外側(cè),cosα,cosβ,cosγ是ω的外法向量的方向余弦。
高斯定理概念
高斯定理是表明在閉合曲面內(nèi)的電荷分布與產(chǎn)生的電場(chǎng)之間的關(guān)系。高斯定理在靜電場(chǎng)情況下類比于應(yīng)用在磁場(chǎng)學(xué)的安培定律,而二者都被集中在麥克斯韋方程組中。因?yàn)閿?shù)學(xué)上的相似性,高斯定理也可以應(yīng)用于其它由平方反比律決定的物理量,例如引力或者輻照度。定理內(nèi)容設(shè)空間有界閉合區(qū)域,其邊界為分片光滑閉曲面。
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